[模拟电子技术基础]成都理工大学《模拟电子技术基础》，康华光，高等教育出版社 考研用的是第几版

成都理工大学《模拟电子技术基础》，康华光，高等教育出版社 考研用的是第几版

问题补充：成都理工大学《模拟电子技术基础》，康华光，高等教育出版社 考研用的是第几版
●不同学校要求的教材不一样的，可以去想报考的学校网站去看看！去新浪考研频道看看！

模拟电子技术基础 为什么在高掺杂的情况下，耗尽层（空间电荷区）宽度很窄

●按照半导体物理学，耗尽层(空间电荷区)就是掺杂造成的。自然，掺杂越多，耗尽层就越宽。
你用的模拟电子技术基础写错了。
老旧模电书写错的地方海多了。
这是因为，半导体物理学是模拟电子学的基础。但是老旧模拟电子技术教科书，基本上没怎么用半导体物理学。
所谓，基础不牢地动山摇呀！

模拟电子技术基础哪个版本好，讲解较为详细的，现在我在用的是康华光的第五版

●向左转|向右转

模拟电子技术基础基本题

问题补充：第二题
●答案是0v才对分析如下: 仔细观察可以发现电路其实是3部分的并联，其中6v电源与VD2先串联，9v电源与电阻R再串联，之后两条串联之路并联再次与VD1并联;其中VD1的阳极分别与6V电源正极和9V电源正极联接在一起，VD1的阴极分别与VD2阴极和电阻R的一端联接在一起，于是可知输出端电压就是VD1两端的电压。 从图中可知由于9v电源的电位明显高于6v电源电位，因此9v电源反向给6v电源充电并同时使VD1导通，VD1一旦导通VD2阴极电位变为9v，使得VD2反偏截至。回路路径是:电流从9v电源正极出发流入VD1正极从VD1负极出来，流入电阻经过电阻回到9V电源负极。 之前已经提到VD1和(9v电源电阻R串联支路)属于并联关系，VD1又是理想的二极管因此导通后二极管两端电压为0，而输出电压就是VD1两端电压，所以就是0v。

模拟电子技术基础习题2.12 电路如图P2.12所示，晶体管的β=80，rbe =1kΩ。 最后输出电阻Ro怎样得到的？

问题补充：上述解题过程中的输出电阻怎样得到的？最好附加一张交流等效电路图解析，谢谢！
●输出电阻计算有加压求流法及负载对比法等。这里使用的是加压求流法放大器输入信号为零时，从输出端看进去，看到的就是输出电阻。加上一个虚拟电压，计算所产生的的电流，电压电流比就使输出电阻，这就是加压求流法，详见以下截图。用这个(3.7.11)公式，就能得到37Ω结果。